反铁磁材料在信息处治与内存芯顷然代范畴具有平庸利用远景。据最新一期《当然》杂志，好意思国麻省理工学院科研团队仅使用光就在反铁磁材料中达成了磁态救济，创造出一种新式且执久的磁态。这一时代为盘问东说念主员提供了截至磁性的雄壮用具，有助于筹算更快、更小、更节能的内存芯片。
反铁磁体由自旋主张瓜代的原子构成，每个原子的自旋主张王人与其相邻原子的自旋主张相背。这种上、下、上、下的规章基本对消了自旋，使反铁磁体总磁化强度为零，从而不受任何磁力影响。
若是能用反铁磁材料制成内存芯片，就可将数据“写入”材料的微不雅区域，即磁畴。在给定磁畴中，自旋主张的某种成就（举例，上—下）代表经典的比特“0”，而另一种成就（下—上）则代表“1”。在这么的芯片上写入数据，能挣扎外部磁场的热闹。
由于磁畴的褂讪性，反铁磁体可整合到将来的内存芯片中，使这些芯片能耗更少、占用空间更小，AG旗舰厅百家乐同期存储和处治的数据更多。关联词，将反铁磁材料利用于存储时代的一个主要贬抑在于，怎样以可靠面容截至反铁磁体，使其从一种磁态救济到另一种磁态。
这次，团队使用太赫兹激光器径直刺激反铁磁材料中的原子。激光器的轰动频率被调至与材料原子间的当然振动相匹配，从而改变原子自旋的均衡，使其向一种新的磁态转变。
所用材料为FePS3——一种在临界温度（约118K）时转变为反铁磁相的材料。他们将合成的FePS3样品置于真空室中，冷却至118K及以下温度。然后，他们让一束近红外光穿过有机晶体，将光救济为太赫兹频率，从而产生太赫兹脉冲。之后，他们将这束太赫兹光瞄准样品。
在屡次重叠执行中ag百家乐回血，团队不雅察到，太赫兹脉冲得胜地将原来为反铁磁性的材料切换到了一个新的磁态。这一滑变出人预看法执久，致使在激光关闭后仍能执续数毫秒。（记者张佳欣）