本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）详细

LLNL永远以来一直是EUV光刻时刻的开发前驱。

位于加利福尼亚州的一家实际室将为极紫外（EUV）光刻时刻的下一次发展奠定基础。该阵势由劳伦斯利弗莫尔国度实际室 (LLNL) 牵头，旨在激动 EUV 光刻时刻的下一次发展，以实际室开发的驱动系统大孔径铥 (BAT) 激光器为中心。

据该实际室称，LLNL 牵头的阵势将测试 BAT 激光器与现时行业次第二氧化碳 (CO2) 激光器比拟，将 EUV 光源后果提高约 10 倍的才调。

LLNL 坚握以为，这可能促成下一代“非凡 EUV”（BEUV）光刻系统的坐褥，从而坐褥出更小、更庞杂、制造速率更快、同期耗电量更少的芯片。

实际室进行了宗旨考据激光演示

LLNL 激光物理学家 Brendan Reagan 示意，该实际室在昔日五年中进行了表面等离子体模拟和宗旨考据激光演示，为该阵势奠定了基础。“咱们的使命还是对 EUV 光刻界产生了止境大的影响，是以当今咱们很欢笑迈出下一步，”Reagan 补充谈。

该实际室宣称，EUV 光刻触及高功率激光，每秒辐照数万个锡液滴。激光将每个尺寸约为 30 百万分之一米的液滴加热到 50 万摄氏度，产生等离子体，产生波长为 13.5 纳米的紫外线。

现存 EUV 光刻源的动力后果

颠倒的多层镜面指令光辉穿过掩模板，这些板保存着用于半导体晶圆的集成电路的复杂图案。把柄LLNL 的新闻稿，光辉将图案投射到光刻胶层上，蚀刻掉光刻胶层以将集成电路留在芯片上。

该阵势还旨在走访行使为新式拍瓦级 BAT 激光器开发的时刻不错提高现存用于半导体坐褥的 EUV 光刻源的动力后果，该激光器使用掺铥的氟化钇锂 (Tm:YLF) 手脚增益介质，通过该介质不错增多激光束的功率和强度。

科学家们筹划进行一次演示，将紧凑型高访佛率 BAT 激光器与使用整形纳秒脉冲产生 EUV 光源以及使用超短亚皮秒脉冲产生高能 x 射线和粒子的时刻配对。

Williams 强调，该阵势将在 LLNL 开发首个高功率、高访佛率、约 2 微米的激光器。

这一朝上瞻望将使半导体行业受益。Williams 强调，BAT 激光器的功能将影响 EUV 生成之外的限度，对高能量密度 (HED) 物理学和惯性聚变能产生弱点影响。

LLNL 还坚握以为，半导体行业一直在竞相将尽可能多的集成电路和其他功能集成到一块芯片中，使每一代微处理器变得更小但更庞杂。昔日几年，EUV 光刻时刻占据了率先地位，沙巴贝投ag百家乐因为它使用 EUV 光将小至几纳米的微电路蚀刻到先进的芯片和处理器上。

面前，源流进的EUV光刻时刻已被应用于2nm制程节点的芯片量产，而况仍在握续优化中。为了束缚面对EUV光刻时刻的表面分离率极限，并确保光刻机具备可靠的系统性能，还需要连续潜入研究如何有用贬责提高光源功率所带来的热效应，同期开发角落爽脆度更低且能保证特征尺寸精准截至与邃密黏效劳的EUV光刻胶。此外，减少光源里面的碎屑混浊以延伸汇集镜的使用寿命，以及镌汰曝光流程中混浊物附着在掩模上的概率，亦然现时紧迫的研究课题。

在EUV光刻时刻已毕量产的同期，很多研发机构也在尝试研发更高效且资本相对较低的下一代光刻时刻。

LLNL 永远以来一直是 EUV 光刻时刻的开发前驱，包括为基于等离子体的 EUV 源奠定基础的早期光谱研究。

早在1988 年，LLNL 提倡第一个 SXPL 系统，研究东谈主员进一步制造组件和开发时刻进行会诊考据。1989 年，Kinoshita 发表论文提倡最好 SXPL 曝光参数。

之后又在1994 年，好意思国国度 EUV 光刻筹划出现，由 LLNL、SNL、劳伦斯伯克利国度实际室（LBNL）和 AT&T 贝尔实际室的研究东谈主员构成，由 DOE 资助并由 DARPA、DOE 和行业代表的时刻有计划小组率领。在此时候，好意思国的研究团队启动开发成像系统和第一款行使 EUV 时刻的精准叠加用具，欧洲和日本的关连研究也在积极进行。

日前LLNL的研究东谈主员还开发出一种新式的“高阶谐波”光源，大致产生更庞杂、更踏实的EUV光束。这项时刻不仅有望大幅提高EUV光刻机的坐褥后果，还可能镌汰开辟资本。更紧迫的是，它为其他企业参预EUV光刻机阛阓大开了大门。

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